אדים הפקדת טכניקות הסיווג שלהם

אדים בתצהיר טכניקות הסיווג שלהם

בתצהיר אדים היא טכניקה להרכיב שכבות הסרט פונקציונלי על פני השטח של המצע. זוהי שכבת שכבות של שכבת ביניים או רב שכבתית, פשוטה או מורכבת על פני השטח של המוצר באמצעות תגובות פיסיקליות או (ו) כימיות של החומר בשלב הגז, על מנת להשיג תכונות מצוינות שונות הנדרשות על פני השטח של המוצר.

כשיטה ציפוי פני השטח, את הצעד הבסיסי של בתצהיר אדי הוא לאידוי, הובלה ולבסוף להפקיד את החומרים שצריכים להיות מצופה. התכונה העיקרית שלו היא כי לא משנה אם החומרים המקוריים צריך להיות מצופה מוצק, נוזלי או גז, הם חייבים להיות טרנספורמציה שלב מורפולוגיה שלב הגירה במהלך ההובלה ולבסוף להגיע אל פני השטח של לחומר עבור בתצהיר ועיבוי.

ישנם שני סוגים של בתצהיר אדים, בתצהיר אדי כימיים ותצהיר אדי פיזית.

בתחילה, TiCl נוזלי נדיף היה מחומם במקצת כדי לקבל את הגז TiCl ו NH3 גז, אשר הוכנסו לחדר התגובה טמפרטורה גבוהה יחד. גזי התגובה האלה היו מפורקים, ולאחר מכן תגובות כימיות בעקבות העקרונות התרמודינמיים בוצעו על משטח מוצק טמפרטורה גבוהה כדי ליצור TiN ו HCL. HCL הוסר ו TiN הופקד על משטח מוצק כדי ליצור סרט מוצק קשה. בתצהיר אדי כימי הוא תהליך שבו הפיקדון מוצק nonvolatile נוצרת על ידי תגובה כימית על משטח מוצק בין תרכובת נדיפים וחומר גזי המכיל אלמנטים המהווים סרט דק.

יחד עם זאת, אנשים לשים סוג אחר של בתצהיר אדי, דרך חימום בטמפרטורה גבוהה של מתכת או תרכובות מתכת התאדה לשלב גז, או באמצעות אלקטרונית, פלזמה, ואת הפוטון יכול לטעון חלקיקים יכולים להראות את המתכת או המטרה המתחם sputtering את האטומים המתאימים , יונים, מולקולות (גז), להפקיד לתוך סרט מוצק על משטח מוצק, אשר אינו כרוך תגובות כימיות פיזיות (פירוק או בשילוב), המכונה בתצהיר אדי פיזית, עם טכנולוגיית בתצהיר אדי יישום ויישום של שני סוגים של בתצהיר אדים כל יש טכניקה חדשה ותוכן הטכנולוגיה, חוצה בין השניים, קשה להבחין בהחלט בין כימיה או physics.For, למשל, פלזמה יון הקורה הם הציג לתוך אידוי ו sputtering של מסורתי אדי פיזית בתצהיר הטכנולוגיה להשתתף תהליך הציפוי. במקביל, גז תגובתי הוא הציג לתוך התהליך. תגובות כימיות יכול להתבצע גם על משטח מוצק כדי ליצור סרט סינתטי שלב מוצק חדש, אשר נקרא ציפוי תגובתי. התגובה גז N2 הוכנס לתוך טיטניום המקרטעת (Ti) פלזמה ו TiN היה מסונתז כדוגמה.זה אומר כי בתצהיר אדי פיזי יכול גם לערב תגובות כימיות.במערכת פנימית לתוך התגובה של מתאן, למשל, בעזרת W היעד cathode arc פריקה, פלזמה Ar, W תחת הפעולה של הפירוק methane, ואת משטח מוצק recombine את הפחמן האג"ח, ליצור מעורב W- כמו פחמן סרט, אנשים המשמשים מקום על תהליך בתצהיר בתצהיר אדי כימיים , אבל זה בתצהיר טיפוסי אדי פיזית, מתכת cathode arc יון ציפוי.בנוסף, אנשים לשים את הטכנולוגיה פלזמה, קרן יון לתוך תהליך כימית מסורתית ואדים הפקדת, תגובה כימית לא מלא באופן מלא את העיקרון התרמודינמיקה המסורתית, כי פלזמה יש פעילות כימית טובה יותר, יכול להיות הרבה יותר נמוך מאשר יישום תרמודינמיקה תגובה כימית המסורתית תחת טמפרטורת התגובה, שיטה הידועה בשם פלזמה Assisted כימית הפקדת אדי (פלזמה בסיוע כימית הפקדת אדי, PACVD, חומרים מסוימים נקראים פלזמה משופרת תצהיר אדי כימיים (PECVD), אשר נותן בתצהיר אדי כימי משמעות פיזית יותר.

עכשיו, ההבדל היחיד בין בתצהיר אדי כימיים בתצהיר אדי פיזי הוא מורפולוגיה של חומרי ציפוי. תרכובות נדיפות לשעבר USES או חומרים גזי, בעוד האחרון USES מוצק (או נוזלי) חומרים. נראה כי הבחנה זו איבדה את מהות ההגדרה המקורית.

אנו על פי ההרגלים הקיימים, בעיקר בצורת חומר ציפוי כדי להבדיל את ההבדל בין בתצהיר אדי כימיים, בתצהיר אדי פיזי, מוצק (נוזלי) ציפוי חומר דרך טמפרטורה גבוהה אידוי, המקרטעת, קרן אלקטרונים, פלזמה, קרן יון, קרן לייזר ו arc, וצורות אחרות של אנרגיה המיוצר על ידי אטומי גז, מולקולות, יונים תחבורה (גז, פלזמה), עיבוי של מוצק בתצהיר על פני השטח (כולל תגובות כימיות עם חומרים אחרים בשלב התגובה גז שנוצר מוצרי תגובה), כדי ליצור מוצק שלב הממברנה המכונה תצהיר אדי פיזית.

IKS PVD, אדים פיזית בתצהיר ואקום ציפוי ציוד ייצור, פנה: iks.pvd@foxmail.com